GaSe Crystal

Галлий селениді (GaSe) үлкен сызықтық емес коэффициентті, жоғары зақымдану шегін және кең мөлдірлік диапазонын біріктіретін сызықты емес оптикалық монокристал.Бұл IR ортадағы SHG үшін өте қолайлы материал.


  • Мөлдірлік ауқымы:мкм 0,62 - 20
  • Ұпайлар тобы:6м2
  • Тор параметрлері:a = 3,74, c = 15,89 Å
  • Тығыздығы:г/см3 5,03
  • Mohs қаттылығы: 2
  • Сыну көрсеткіштері:5,3 мкм кезінде no= 2,7233, жоқ= 2,3966
  • Сызықтық емес коэффициент:pm/V d22 = 54
  • Оптикалық зақымдану шегі:МВт/см2 28 (9,3 мкм, 150 нс);0,5 (10,6 мкм, CW режимінде);30 (1,064 мкм, 10 нс)
  • Өнімнің егжей-тегжейі

    Сынақ есебі

    Бейне

    Қор тізімі

    Галлий селениді (GaSe) үлкен сызықтық емес коэффициентті, жоғары зақымдану шегін және кең мөлдірлік диапазонын біріктіретін сызықты емес оптикалық монокристал.GaSe ортаңғы ИК-де SHG үшін өте қолайлы материал болып табылады.DIEN TECHGaSe кристалын бірегей үлкен өлшеммен және жоғары сапамен қамтамасыз етіңіз.

    GaSe жиілігінің екі еселену қасиеттері 6,0 мкм мен 12,0 мкм арасындағы толқын ұзындығы диапазонында зерттелді.GaSe СО2 лазерінің тиімді SHG үшін сәтті қолданылды (9%-ға дейін түрлендіру);импульстік CO, CO2 және химиялық DF-лазер (l = 2,36 мкм) сәулеленудің SHG үшін;СО және СО2 лазерлік сәулеленуін көрінетін диапазонға жоғары түрлендіру;неодимді және инфрақызыл бояу лазерін немесе (F-)-орталық лазерлік импульстарды жиіліктердің айырмашылығын араластыру арқылы инфрақызыл импульстарды қалыптастыру;3,5–18 мкм шегінде OPG жарық генерациясы;терагерц (Т-сәулелері) сәулеленуі.Қолдану аймағын шектейтін материал құрылымына байланысты (001 жазықтық бойымен кесілу) белгілі бір фазалық сәйкестік бұрыштары үшін кристалдарды кесу мүмкін емес.
    GaSe өте жұмсақ және қабатты кристалл.Белгіленген қалыңдығы бар кристалды өндіру үшін қалыңдығы 1-2 мм қалың бастапқы дайындаманы аламыз, содан кейін бетінің жақсы тегістігі мен тегістігін сақтай отырып, реттелген қалыңдыққа жақындауға тырысып, қабат-қабат алып тастай бастаймыз.Дегенмен, қалыңдығы шамамен 0,2-0,3 мм немесе одан аз GaSe пластиналары үшін оңай майысып, тегіс емес, қисық бетті аламыз.
    Сондықтан біз әдетте диаметрі 1 '' CA ашылатын диаметрі бар ұстағышқа орнатылған 10x10 мм кристал үшін қалыңдығы 0,2 мм боламыз.9-9,5 мм.
    Кейде біз 0,1 мм кристалдарға тапсырыстарды қабылдаймыз, бірақ біз өте жұқа кристалдар үшін жақсы тегістікке кепілдік бермейміз.
    GaSe кристалдарының қолданылуы:
    • ТГц (Т-сәулелері) сәулеленуі;
    • ТГц диапазоны: 0,1-4 ТГц;
    • CO 2 лазерінің тиімді SHG (конверсиясы 9%-ға дейін);
    • Импульстік CO, CO2 және химиялық DF-лазер (l = 2,36 мкм) сәулеленудің SHG үшін;
    • CO және CO2 лазерлік сәулеленуін көрінетін диапазонға жоғары түрлендіру;неодимді және инфрақызыл бояу лазерін немесе (F-)-орталық лазерлік импульстарды жиіліктердің айырмашылығын араластыру арқылы инфрақызыл импульстарды қалыптастыру;
    • 3,5 - 18 мкм аралығындағы OPG жарық генерациясы.
    Орташа ИҚ-дағы SHG (CO2, CO, химиялық DF-лазер және т.б.)
    ИК лазер сәулеленуін көрінетін диапазонға жоғары түрлендіру
    3 – 20 мкм аралығындағы параметрлік генерация
    GaSe кристалдарының негізгі қасиеттері:
    Мөлдірлік диапазоны, мкм 0,62 - 20
    Нүктелік топ 6м2
    Тор параметрлері a = 3,74, c = 15,89 Å
    Тығыздығы, г/см3 5,03
    Mohs қаттылығы 2
    Сыну көрсеткіштері:
    5,3 мкм кезінде no= 2,7233, жоқ= 2,3966
    10,6 мкм кезінде жоқ= 2,6975, жоқ= 2,3745
    Сызықтық емес коэффициент, pm/V d22 = 54
    5,3 мкм-де 4,1° жүріңіз
    Оптикалық зақымдану шегі, МВт/см2 28 (9,3 мкм, 150 нс);0,5 (10,6 мкм, CW режимінде);30 (1,064 мкм, 10 нс)

    dc0fb8af2646ed87f8d7ce9919aa1a4bec6c026f842ca4e1755156e33efd49

    Үлгі Өнім Өлшем Тау Саны
    DE0553 GaSe φ7*0,6мм φ25,4 мм 2