BaGa2GeSe6 кристалдары


  • Химиялық формуласы:BaGa2GeSe6
  • Сызықты емес коэффициент:d11=66
  • Зақымдану шегі:110 МВт/см2
  • Мөлдірлік ауқымы:0,5 - 18 мкм
  • Өнімнің егжей-тегжейі

    Негізгі қасиеттер

    BaGa2GeSe6 кристалының оптикалық зақымдану шегі (110 МВт/см2), кең спектрлік мөлдірлік диапазоны (0,5-тен 18 мкм-ге дейін) және жоғары сызықты емес (d11 = 66 ± 15 pm/V) бар, бұл бұл кристалды өте тартымды етеді. лазерлік сәулеленуді орташа инфрақызыл диапазонға (немесе шегінде) жиілікті түрлендіру.Бұл CO- және CO2-лазерлік сәулеленудің екінші гармоникалық генерациясы үшін ең тиімді кристалл болып шықты.Бұл кристалдағы көп сызықты CO-лазерлік сәулеленудің кең жолақты екі сатылы жиілікті түрлендіруі ZnGeP2 және AgGaSe2 кристалдарына қарағанда жоғары тиімділікпен 2,5-9,0 мкм толқын ұзындығы диапазонында мүмкін екендігі анықталды.
    BaGa2GeSe6 кристалдары олардың мөлдірлік диапазонында сызықты емес оптикалық жиілікті түрлендіру үшін қолданылады.Максималды түрлендіру тиімділігін алуға болатын толқын ұзындықтары және айырмашылық жиілігін генерациялау үшін реттеу диапазоны табылды.Кең жиілік диапазонында тиімді сызықтық емес коэффициент шамалы ғана өзгеретін толқын ұзындығы комбинациялары бар екені көрсетілген.

    BaGa2GeSe6 кристалының селмайер теңдеулері:
    21

    ZnGeP2, GaSe және AgGaSe2 кристалдарымен салыстырыңыз, сипаттар деректері төмендегідей көрсетіледі:

    Негізгі қасиеттер

    Кристалл d,pm/V I, МВт/см2
    AgGaSe2 d36=33 20
    GaSe d22=54 30
    BaGa2GeSе6 d11=66 110
    ZnGeP2 d36=75 78