BGSe жоғары сапалы кристалдары (BaGa4Se7) халькогенидті қосылыс BaGa4S7 селенидті аналогы болып табылады, оның ацентрлік орторомбты құрылымы 1983 жылы анықталған және IR NLO әсері 2009 жылы хабарланған, жаңадан жасалған IR NLO кристалы.Ол Бридгман-Стокбаргер техникасы арқылы алынды.Бұл кристал 15 мкм шамасында жұтылу шыңын қоспағанда, 0,47–18 мкм кең диапазонында жоғары өткізгіштігін көрсетеді.
(002) ең жоғары тербеліс қисығының FWHM шамамен 0,008° және қалыңдығы 2 мм жылтыратылған (001) пластина арқылы өткізгіштігі 1–14 мкм кең ауқымда шамамен 65% құрайды.Кристалдарда әртүрлі термофизикалық қасиеттер өлшенді.
BaGa4Se7 термиялық кеңею әрекеті αa=9,24×10−6 K−1, αb=10,76×10−6 K−1 және αc=11,70×10−6 K−1 үш кристаллографиялық ось бойынша күшті анизотропияны көрсетпейді. .298 К өлшенген жылу диффузиялық/жылу өткізгіштік коэффициенттері 0,50(2) мм2 с−1/0,74(3) Вт m−1 K−1, 0,42(3) мм2 с−1/0,64(4) Вт m−1 K−1, 0,38(2) mm2 s−1/0,56(4) W m−1 K−1, сәйкесінше a, b, c кристаллографиялық ось бойымен.
Сонымен қатар, 5 нс импульстік ені, 1 Гц жиілігі және D=0,4 мм нүкте өлшемі жағдайында Nd:YAG (1,064 мкм) лазерді пайдаланып, беттік лазердің зақымдану шегі 557 МВт/см2 болып өлшенді.
BGSe (BaGa4Se7) кристалы AgGaS2-ден шамамен 2-3 есе жоғары ұнтақ екінші гармоникалық генерация (SHG) реакциясын көрсетеді.Беттік лазердің зақымдану шегі бірдей жағдайларда AgGaS2 кристалынан шамамен 3,7 есе жоғары.
BGSe кристалы үлкен сызықтық емес сезімталдыққа ие және ортаңғы инфрақызыл спектрлік аймақта практикалық қолдану үшін кең перспективаға ие болуы мүмкін. Ол қызықты терагерц фонон-поляритондарын және терагерц генерациясы үшін жоғары сызықтық емес коэффициенттерді көрсетеді.
IR лазерді шығарудың артықшылықтары:
Әр түрлі сорғы көздеріне жарамды (1-3мкм)
Кең реттелетін IR шығыс диапазоны (3-18 мкм)
OPA, OPO, DFG, қуыс ішілік/экстравистік, cw/импульстік айдау
Маңызды ескерту: Бұл жаңа типтегі кристалл болғандықтан, кристалдың ішінде бірнеше жолақтар болуы мүмкін, бірақ біз осы ақауға байланысты қайтаруды қабылдамаймыз.
