HgGa2S4 кристалы

Лазерлік зақымдану шегінің жоғары мәндері және конверсия тиімділігі Mercury Thiogallate HgGa қолдануға мүмкіндік береді.₂S₄(HGS) 1,0-ден 10 мкм-ге дейінгі толқын ұзындығы диапазонында жиілікті екі еселеу және OPO/OPA үшін сызықты емес кристалдар.СО ӨТҚ тиімділігі анықталды₂4 мм ұзындығы HgGa үшін лазерлік сәулелену₂S₄элемент шамамен 10 % (импульс ұзақтығы 30 нс, сәулелену қуатының тығыздығы 60 МВт/см)²).Жоғары түрлендіру тиімділігі және радиациялық толқын ұзындығын реттеудің кең ауқымы бұл материалдың AgGaS-пен бәсекелесе алатынын күтуге мүмкіндік береді.₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂және GaSe кристалдары үлкен өлшемді кристалдардың өсу процесінің айтарлықтай қиындығына қарамастан.
Қолданбалар:
• СО және СО2 – лазерлердегі екінші гармоникаларды генерациялау
• Орташа инфрақызыл аймақтарға дейін әртүрлі жиілік генераторы.
• Оптикалық параметрлік осцилатор
• Орташа ИҚ аймағында жиілікті араластыру