Сызықты емес кристалдар

Өсіру әдістері, соның ішінде көлденең және тік, бұл материалдар (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) берілген стандартты өлшемдер мен бағдарлармен қол жетімді.Олардың кейбіреулері үлкен сызықты емес коэффициенттің қасиеттерімен және біз ұсынған бірегей өлшемдерімен әдеттегі SHG, THG және ортаңғы инфрақызыл OPO, OPA жүйелерінде және т.б. кеңінен қолданылады. Өнімдерді анодталған алюминий ұстағышымен немесе онсыз жеткізуге болады.

KTP кристалы

Калий титанил арсенаты (KTiOAsO4) немесе KTA кристалы оптикалық параметрлік тербеліс (OPO) қолдану үшін тамаша сызықты емес оптикалық кристал болып табылады.Ол жақсырақ сызықты емес оптикалық және электро-оптикалық коэффициенттерге ие, 2,0-5,0 мкм аймақта сіңіру айтарлықтай төмендейді, кең бұрыштық және температуралық өткізу қабілеттілігі, төмен диэлектрлік тұрақтылар.
ZnTe Crystal

Мырыш теллуриді – ZnTe формуласы бар бинарлы химиялық қосылыс.DIEN TECH кристалдық осі <110> болатын ZnTe кристалын жасайды, ол субпикосекундтың жоғары қарқынды жарық импульсін пайдаланып оптикалық түзету деп аталатын сызықты емес оптикалық процесс арқылы терагерц жиілігінің импульсіне кепілдік беру үшін қолданылатын тамаша материал.DIEN TECH қамтамасыз ететін ZnTe элементтері қос ақаусыз.
PPKTP цисталдары

Периодты полюсті калий титанилфосфаты (PPKTP) – квазифазалық сәйкестік (QPM) арқылы жиілікті тиімді түрлендіруді жеңілдететін бірегей құрылымы бар ферроэлектрлік сызықты емес кристал.
HgGa2S4 кристалы

Лазерлік зақымдану шегінің жоғары мәндері және конверсия тиімділігі Mercury Thiogallate HgGa қолдануға мүмкіндік береді.₂S₄(HGS) 1,0-ден 10 мкм-ге дейінгі толқын ұзындығы диапазонында жиілікті екі еселеу және OPO/OPA үшін сызықты емес кристалдар.СО ӨТҚ тиімділігі анықталды₂4 мм ұзындығы HgGa үшін лазерлік сәулелену₂S₄элемент шамамен 10 % (импульс ұзақтығы 30 нс, сәулелену қуатының тығыздығы 60 МВт/см)²).Жоғары түрлендіру тиімділігі және радиациялық толқын ұзындығын реттеудің кең ауқымы бұл материалдың AgGaS-пен бәсекелесе алатынын күтуге мүмкіндік береді.₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂және GaSe кристалдары үлкен өлшемді кристалдардың өсу процесінің айтарлықтай қиындығына қарамастан.