Өнімдер

GaSe Crystal

Галлий селениді (GaSe) үлкен сызықтық емес коэффициентті, жоғары зақымдану шегін және кең мөлдірлік диапазонын біріктіретін сызықты емес оптикалық монокристал.Бұл IR ортадағы SHG үшін өте қолайлы материал.
ZGP(ZnGeP2) кристалдары

Үлкен сызықты емес коэффициенттерге (d36=75pm/V), кең инфрақызыл мөлдірлік диапазонына (0,75-12мкм), жоғары жылу өткізгіштікке (0,35Вт/(см·К)), лазердің зақымдалу шегі (2-5Дж/см2) және ZGP кристалдары ұңғымаларды өңдеу қасиеті, ZnGeP2 кристалы инфрақызыл сызықты емес оптикалық кристалдардың патшасы деп аталды және әлі де жоғары қуатты, реттелетін инфрақызыл лазерді генерациялау үшін ең жақсы жиілікті түрлендіру материалы болып табылады.Біз жоғары оптикалық сапа және α < 0,05 см-1 (сорғы толқын ұзындығы 2,0-2,1 мкм) өте төмен жұтылу коэффициенті бар үлкен диаметрлі ZGP кристалдарын ұсына аламыз, оларды OPO немесе OPA арқылы жоғары тиімділігі бар орташа инфрақызыл реттелетін лазерді генерациялау үшін пайдалануға болады. процестер.
AGSe(AgGaSe2) кристалдары

AGSeAgGaSe2 кристалдарының жолақ жиектері 0,73 және 18 мкм.Оның пайдалы өткізу диапазоны (0,9–16 мкм) және кең фазалық сәйкестік мүмкіндігі әртүрлі лазерлермен айдалған кезде OPO қолданбалары үшін тамаша әлеуетті қамтамасыз етеді.Ho:YLF лазерімен 2,05 мкм-де айдау кезінде 2,5–12 мкм аралығында баптау алынды;сондай-ақ 1,4–1,55 мкм айдау кезінде 1,9–5,5 мкм шегінде маңызды емес фазаларды сәйкестендіру (NCPM) жұмысы.AgGaSe2 (AgGaSe2) инфрақызыл СО2 лазерлерінің сәулеленуі үшін жиілікті екі еселендіретін тиімді кристалл екені көрсетілді.
AGS(AgGaS2) кристалдары

AGS 0,50-ден 13,2 мкм-ге дейін мөлдір.Оның сызықты емес оптикалық коэффициенті аталған инфрақызыл кристалдар арасында ең төмен болса да, Nd:YAG лазерімен айдалатын OPO-да 550 нм-дегі қысқа толқын ұзындығы жоғары мөлдірлік жиектері қолданылады;диод, Ti: Sapphire, Nd:YAG және 3–12 мкм диапазонды қамтитын IR бояу лазерлерімен көптеген айырмашылық жиілігін араластыру эксперименттерінде;тікелей инфрақызыл қарсы шаралар жүйесінде және CO2 лазерінің SHG үшін.Жұқа AgGaS2 (AGS) кристалды пластиналары NIR толқын ұзындығы импульстерін қолданатын жиіліктердің айырмашылығын генерациялау арқылы орта ИК диапазонында ультра қысқа импульстарды генерациялау үшін танымал.
BGSe(BaGa4Se7) кристалдары

BGSe жоғары сапалы кристалдары (BaGa4Se7) халькогенидті қосылыс BaGa4S7 селенидті аналогы болып табылады, оның ацентрлік орторомбты құрылымы 1983 жылы анықталған және IR NLO әсері 2009 жылы хабарланған, жаңадан жасалған IR NLO кристалы.Ол Бридгман-Стокбаргер техникасы арқылы алынды.Бұл кристал 15 мкм шамасында жұтылу шыңын қоспағанда, 0,47–18 мкм кең диапазонында жоғары өткізгіштігін көрсетеді.
BGGSe(BaGa2GeSe6) кристалдары

BaGa2GeSe6 кристалы жоғары оптикалық зақымдану шегіне (110 МВт/см2), кең спектрлік мөлдірлік диапазонына (0,5-тен 18 мкм-ге дейін) және жоғары сызықты еместігіне (d11 = 66 ± 15 pm/V) ие, бұл бұл кристалды өте тартымды етеді. лазерлік сәулеленуді орташа инфрақызыл диапазонға (немесе шегінде) жиілікті түрлендіру.