Мұнда Nd:YAG мөлдір керамикасының әлсіреу жоғалу әсері және лазерлік өнімділікті арттыру зерттелді.Диаметрі 3 мм және ұзындығы 65 мм болатын 0,6 % Nd:YAG керамикалық шыбықты пайдаланып,шашырау коэффициенті және 1064 нм жұтылу коэффициенті сәйкесінше 0,0001 см-1 және 0,0017 см-1 болып өлшенді.808 нм бүйірлік айдалатын лазер тәжірибесі үшін 26,4% оптикалық-оптикалық түрлендіру тиімділігімен 44,9 Вт орташа шығыс қуатына қол жеткізілді, бұл 1% монокристалдықпен дерлік бірдей болды.885 нм тікелей соңғы айдау схемасын қабылдай отырып, келесі лазерлік сынақтар 62,5% жоғары оптикалық тиімділікті және 231,5 Вт сіңірілген сорғы қуаты кезінде 144,8 Вт максималды шығу қуатын көрсетті. Бұл осы уақытқа дейін алынған оптикалық түрлендірудің ең жоғары тиімділігі болды. Nd:YAG керамикалық лазері біздің білуімізше.Бұл жоғары қуатты және жоғары тиімді лазер шығысын 885 нм тікелей айдау технологиясымен бірге жоғары оптикалық сапалы Nd: YAG керамикалық таяқшасы арқылы жасауға болатынын дәлелдейді.
Бұл құжатта 1,064 мкм лазермен айдалатын BaGa4Se7 (BGSe) кристалды оптикалық параметрлік осциллятор (OPO) негізіндегі жоғары импульстік энергия, тар сызық ені, ортаңғы инфрақызыл (MIR) лазері 6,45 мкм ұсынылған.6,45 мкм-дегі максималды импульстік энергия 1,23 мДж-ға дейін болды, импульс ені 24,3 нс және қайталау жылдамдығы 10 Гц, оптикалық-оптикалық түрлендіру тиімділігі 2,1%, сорғы жарығы 1,064 мкм-ден бос жүріс жарығына 6,5 мкм-ге сәйкес келеді.Бос жарықтандыру желісінің ені шамамен 6,8 нм болды. Сонымен бірге біз 1,064 мкм лазермен айдалатын BGSe кристалында OPO фазасының сәйкестік жағдайын дәл есептедік және 6,45 мкм шамада кіріс-шығыс сипаттамаларын талдау үшін сандық модельдеу жүйесі орындалды, сондай-ақ кристал ұзындығының конверсия тиімділігіне әсері.Өлшеу мен модельдеу арасында жақсы келісім табылды.Біздің білуімізше, бұл қарапайым 1,064 мкм осциллятор арқылы айдалатын BGSe-OPO-дағы кез келген қатты күйдегі MIR ns лазері үшін ең тар сызық ені бар 6,45 мкм-дегі ең жоғары импульстік энергия.Бұл қарапайым және ықшам 6,45 мкм OPO жүйесі, жоғары импульстік энергия және тар сызық ені бар, тіндерді кесу талаптарын қанағаттандыра алады және тіндерді абляцияның дәлдігін жақсарта алады.
Бұл жұмыста біз Q-қосқыш лазерлердегі импульс ұзақтығының күшейту тәуелділігін басатын лангазитті (LGS) электрооптикалық Ho:YAG қуысты лазерін көрсетеміз.100 кГц қайталау жиілігінде 7,2 нс тұрақты импульс ұзақтығына қол жеткізілді.LGS кристалының пайдасы айтарлықтай кері пьезоэлектрлік сақина әсері және термиялық индукцияланған деполяризациясы жоқ, 43 Вт шығыс қуатында тұрақты импульстік пойызға қол жеткізілді. Алғаш рет ортаңғы инфрақызыл (ортаңғы IR) ZnGeP2 (ZGP) оптикалық параметрлік осцилляторы (OPO) іске асырылды, ол жоғары қуатты орта инфрақызыл ZGP OPO үшін жоғары қайталану жылдамдығына және қысқа наносекундтық импульс уақытына қол жеткізудің сенімді жолын қамтамасыз етеді.Орташа шығыс қуаты 4,9 нс импульс ұзақтығына және 100 кГц қайталану жиілігіне сәйкес келетін 15 Вт болды.
Біз бірінші рет BGSe сызықты емес кристалын пайдаланып октавалық орта инфрақызыл генерацияны көрсетеміз.BGSe кристалының ішіндегі импульстік айырмашылық жиілігін генерациялайтын сорғы көзі ретінде 2,4 мкм орталық толқын ұзындығында 28-fs импульстерді беретін Cr:ZnS лазер жүйесі пайдаланылады.Нәтижесінде 6-дан 18 мкм-ге дейінгі когерентті кең жолақты орта инфрақызыл континуум алынды.Бұл BGSe кристалы фемтосекундтық сорғы көздерімен жиілікті төмендету арқылы кең жолақты, бірнеше циклді орта инфрақызыл генерация үшін перспективалы материал екенін көрсетеді.
1,53 Вт толық қатты күйдегі наносекундтық импульстік орта инфрақызыл лазер 6,45 мкм
